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因此,在LED结构上下翻转,并在结处产生的光向上反射。
氮化镓还具有较高的折射率,并因此具有约23°的半视角窄的逃逸锥。中传播这个??角度之外的任何光被全内反射。的表面粗糙化方案,但是,创建GaN和空气之间的界面的透射,有效地消除了全内反射(TIR)的限制。透镜可以进一步提高光提取,增加了逃逸锥和提供的折射率更接近氮化镓比空气。
这里描述的技术可以提供较低成本,高性能的LED。LED是测量内部量子效率(IQE)条款。
有几种技术用于测量IQE。相关的指标是整体发电效率。在当前的条款,有品质因数,它描述的输出功率在每单位电流瓦在(W / A)条款。插座效率是另一项措施。两者之间的区别是二极管两端的正向电压。今天,我们可以实现约3.05V典型正向电压。IQE已接近60%,光提取效率被提高到大于70%。
在未来12个月氮化镓上矽LED将匹配上氮化镓蓝宝石LED的性能,并提供大幅降价。此举在硅衬底将有助于扩大和加快市场基于LED的照明。
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